《固體電子學研究與進展》雜志是統(tǒng)計源期刊。
《固體電子學研究與進展》雜志基本信息
《固體電子學研究與進展》于1981年創(chuàng)辦，全刊信息多卻有條有理，堅持打造交流思想和經(jīng)驗共享的主流平臺，國內(nèi)刊號為：32-1110/TN，創(chuàng)刊多年來受到許多讀者的支持和喜愛。
《固體電子學研究與進展》主要欄目：器件物理與器件模擬、射頻與微波、光電子學、硅微電子學、材料與工藝。
雜志主要發(fā)文機構(gòu)有哪些？發(fā)文量分別是多少？
| 學者姓名 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 陳堂勝 | 127 | 高電子遷移率晶體管；氮化鎵；GAN；砷化鎵；GAA... |
| 林金庭 | 61 | GAAS；MMIC；砷化鎵；單片；微波單片集成電路 |
| 陳效建 | 60 | MMIC；砷化鎵；PHEMT；功率放大器；GAAS |
| 薛舫時 | 52 | HFET；GAN；電流崩塌；勢壘；溝道 |
| 洪志良 | 50 | CMOS；低功耗；跨導；電路；鎖相環(huán) |
| 李忠輝 | 48 | 氮化鎵；GAN；MOCVD；二維電子氣；高電子遷移率... |
| 李拂曉 | 45 | 砷化鎵；GAAS；單片；開關；MESFET |
| 魏同立 | 41 | 半導體器件；硅；雙極晶體管；集成電路；CMOS |
| 孔月嬋 | 40 | 金剛石；襯底；二維電子氣；氮化鎵晶體管；鍵合 |
| 張斌 | 40 | 微波單片集成電路；MMIC；功率MMIC；氮化鎵；功... |
| 機構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管；電路；放大器；單片；GAAS |
| 東南大學 | 317 | 電路；半導體；放大器；晶體管；集... |
| 復旦大學 | 231 | 電路；功耗；集成電路；低功耗；半... |
| 中國科學院 | 148 | 晶體管；半導體；分子束；分子束外... |
| 西安電子科技大學 | 116 | 半導體；電路；金屬氧化物半導體；... |
| 浙江大學 | 77 | 電路；半導體；芯片；金屬氧化物半... |
| 清華大學 | 70 | 電路；集成電路；計算機；半導體；... |
| 天津大學 | 69 | 隧穿；電路；晶體管；共振隧穿；負... |
| 南京大學 | 68 | 發(fā)光；半導體；納米；氮化鎵；GAN |
| 中國科學院微電子研究... | 68 | 電路；低噪；低噪聲；晶體管；CMOS |
部級期刊
統(tǒng)計源期刊
統(tǒng)計源期刊
北大期刊
省級期刊
