《Journal of Semiconductors》于1980年創(chuàng)辦,全刊信息多卻有條有理,堅(jiān)持打造交流思想和經(jīng)驗(yàn)共享的主流平臺(tái),國內(nèi)刊號(hào)為:11-5781/TN,創(chuàng)刊多年來受到許多讀者的支持和喜愛。
《Journal of Semiconductors》是國內(nèi)最早的半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)期刊之一,旨在推動(dòng)半導(dǎo)體科技和應(yīng)用的研究,為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界提供一個(gè)交流和分享半導(dǎo)體領(lǐng)域最新科研成果和技術(shù)進(jìn)展的平臺(tái)。涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括材料與器件、工藝與制造、物理與特性等方面的研究。發(fā)布的論文涉及晶體生長(zhǎng)、材料表征、器件設(shè)計(jì)、制備工藝、性能測(cè)試等各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)也關(guān)注半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的新技術(shù)和應(yīng)用案例。它在國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)域享有較高的聲譽(yù)和影響力,被廣大研究人員和工程師廣泛引用,目標(biāo)是成為一個(gè)推動(dòng)半導(dǎo)體科技創(chuàng)新、促進(jìn)學(xué)術(shù)交流和推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要平臺(tái)。
《Journal of Semiconductors》通過嚴(yán)格的同行評(píng)議制度和學(xué)術(shù)委員會(huì)的管理,確保論文質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平,為廣大研究人員和工程師提供高質(zhì)量的研究成果和應(yīng)用案例。
Ⅰ、稿件參照規(guī)范學(xué)術(shù)論文格式與體例。文中標(biāo)題一般不超過三級(jí),如依次為“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋體、小四、1.5 倍行距進(jìn)行排版。
Ⅱ、范圍:半導(dǎo)體材料和器件的研究與應(yīng)用,包括但不限于半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、制備與表征,半導(dǎo)體器件物理與模擬,半導(dǎo)體工藝與技術(shù),半導(dǎo)體應(yīng)用與系統(tǒng)等方面。
Ⅲ、中文題名一般不允許超過20個(gè)漢字,必要時(shí)可以加副標(biāo)題。要求有作者署名,工作單位全稱及其所在?。ㄖ陛犑?、自治區(qū))、市、縣,郵政編碼等信息。
Ⅳ、間接引文通常以“參見”或“詳見”等引領(lǐng)詞引導(dǎo),反映出與正文行文的呼應(yīng),標(biāo)注時(shí)應(yīng)注出具體參考引證的起止頁碼或章節(jié)。標(biāo)注項(xiàng)目、順序與格式同直接引文。
Ⅴ、凡可文字表述清楚的內(nèi)容,盡量不用圖、表,文字、圖、表三者內(nèi)容不得重復(fù)。表格一律采用“三線表”格式,必要時(shí)可添加輔助線。
VI、摘要的內(nèi)容包括研究目的、內(nèi)容、主要方法、結(jié)果和結(jié)論等(300字左右):摘要應(yīng)盡量寫成報(bào)道性文摘且具有獨(dú)立性,采用第三人稱寫法,一般不用數(shù)學(xué)公式和化學(xué)結(jié)構(gòu),不出現(xiàn)插圖、表格,不用引文;中、英文摘要內(nèi)容一致。
VII、稿件注釋著作類包括作者、著作名稱、出版社、出版時(shí)間、頁碼;古文獻(xiàn)可在作者前加時(shí)代;譯著可在作者前加國別;論文類包括作者、論文名稱、期刊號(hào)。來稿請(qǐng)一律采用尾注形式。
VIII、來稿要求包含論文的中英文題目、中英文摘要、中英文關(guān)鍵詞,中英文作者姓名和中英文署名單位以及文章的中圖分類號(hào)、文獻(xiàn)標(biāo)志碼。
IX、論文所涉及的課題如取得國家或部、省級(jí)以上基金或攻關(guān)項(xiàng)目資助,應(yīng)腳注于文題頁左下方,如“基金項(xiàng)目:××基金資助項(xiàng)目(基金編號(hào)××××)”,并附證書復(fù)印件。
X、有參考文獻(xiàn),專著的格式為:主要責(zé)任者.題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].出版地:出版者,出版年:引文頁碼,文獻(xiàn)的格式為主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)志].連續(xù)出版物題名,年,卷(期):頁碼。
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